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光敏晶體管的主要特性

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光敏晶體管的基本結(jié)構(gòu)光敏晶體管多采用N型硅單晶NPN結(jié)構(gòu)，并且在工藝上將基區(qū)面積制作的較大，發(fā)射區(qū)面積較小。這種特殊結(jié)構(gòu)，能使人射光多數(shù)被基區(qū)吸收。當(dāng)光敏晶體管集電極施加正電壓、基區(qū)開路時，即集電極工作于反向偏置狀態(tài)，光照射到基區(qū)就會激發(fā)出光生電子空穴對，光生電子被拉到集電區(qū)，而空穴則滯留在基區(qū)靠近發(fā)射結(jié)的一邊，使發(fā)射結(jié)的電壓升高，形成輸出電流.并且集電區(qū)輸出電流為光生電流的p倍。這樣，光敏晶體管就完成了光電轉(zhuǎn)換。
光敏晶體管可以制成多種類型的光敏傳感器，其輸出電路簡單，輸出電流較大，尤其在低頻光敏傳感器電路中廣泛應(yīng)用。
光敏晶體管有一個最佳靈敏度峰值波長。當(dāng)人射光的波長偏離峰值波長時，光敏晶體管的靈敏度將顯著減小。這是因為當(dāng)人射光的波長較短時，光子在半導(dǎo)體表面就被吸收掉，并且光子在半導(dǎo)體表面激發(fā)出的電子空穴對也不能到達PN結(jié)，所以相對靈敏度就較低，而當(dāng)人射光的波長較長時，由于光子的能量較小，不足以激發(fā)出電子空穴對，所以相對靈敏度也較低.
光敏晶體管的伏安特性光敏晶體管鬢在光不同照度下的伏安特性曲線，如同普通晶體晶體管在不同基極電流作用下的輸出特性曲線一樣。因此，可以將人射光在發(fā)射結(jié)上所產(chǎn)生的光生電流比作基極電流，這樣就可將光敏晶體管看作普通晶體晶體管進行分析了。光敏晶體管能把光信號轉(zhuǎn)換成電信號，而且輸出的電信號較大。

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