光敏晶體管的伏安特性光敏晶體管在光不同照度下的伏安特性曲線
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光敏晶體管的基本結(jié)構(gòu)光敏晶體管多采用N型硅單晶NPN結(jié)構(gòu)，并且在工藝上將 基區(qū)面積制作的較大，發(fā)射區(qū)面積較小.這種特殊結(jié)構(gòu)，能使人射光多數(shù)被基區(qū)吸收。當(dāng)光 敏晶體管集電極施加正電壓、基區(qū)開(kāi)路時(shí)，即集電極工作于反向偏置狀態(tài)，光照射到基區(qū)就 會(huì)激發(fā)出光生電子空穴對(duì)，光生電子被拉到集電區(qū)，而空穴則滯留在基區(qū)靠近發(fā)射結(jié)的一邊， 使發(fā)射結(jié)的電壓升高，形成輸出電流，并且集電區(qū)輸出電流為光生電流的p倍。這樣，光敏 晶體管就完成了光電轉(zhuǎn)換。
光敏晶體管可以制成多種類型的光敏傳感器，其輸出電路簡(jiǎn)單，輸出電流較大，尤其在 低頻光敏傳感器電路中廣泛應(yīng)用。
(1)光敏晶體管有一個(gè)最佳靈敏度峰值波長(zhǎng)。當(dāng)入射光的波長(zhǎng)偏離峰值波長(zhǎng)時(shí)，光敏晶體管的靈敏 度將顯著減小。這是因?yàn)楫?dāng)人射光的波長(zhǎng)較短時(shí)，光子在半導(dǎo)體表面就被吸收掉，并且光子 在半導(dǎo)體表面激發(fā)出的電子空穴對(duì)也不能到達(dá)PN結(jié)，所以相對(duì)靈敏度就較低;而當(dāng)人射光的 波長(zhǎng)較長(zhǎng)時(shí)，由于光子的能量較小，不足以激發(fā)出電子空穴對(duì)，所以相對(duì)靈敏度也較低.
(2)光敏晶體管的伏安特性光敏晶體管 在光不同照度下的伏安特性曲線，如同普通晶 體晶體管在不同基極電流作用下的輸出特性曲 線一樣。因此，可以將人射光在發(fā)射結(jié)上所產(chǎn)生 的光生電流比作基極電流，這樣就可將光敏晶 體管看作普通晶體晶體管進(jìn)行分析了。光敏晶 體管能把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，而且輸出的電信號(hào)較大。
